Name: Infineon Technologies FZ1800R12HE4B9HOSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: FZ1800R12HE4B9HOSA2
Price: 1216.34 USD
Availability: InStock
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Infineon Technologies FZ1800R12HE4B9HOSA2

Artikelnummer:

FZ1800R12HE4B9HOSA2

Hersteller / Marke:

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)

Teil der Beschreibung.:

IGBT MODULE 1200V 2735A

Datenblätte:

1.FZ1800R12HE4B9H.pdf ···: 2D -Zeichnungen
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$1,216.34

Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Infineon Technologies FZ1800R12HE4B9HOSA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FZ1800R12HE4B9HOSA2.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200 V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 1800A
Supplier Device-Gehäuse	Module
Serie	IHM-B
Leistung - max	11000 W
Verpackung / Gehäuse	Module
Paket	Tray
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C
NTC-Thermistor	No

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Chassis Mount
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	110 nF @ 25 V
Eingang	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop
Strom - Collector Cutoff (Max)	5 mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	2735 A
Konfiguration	Single Switch
Grundproduktnummer	FZ1800
FZ1800R12HE4B9HOSA2 Einzelheiten PDF [English]	FZ1800R12HE4B9HOSA2 PDF - EN.pdf

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